Palestrante: Prof. Dr. Pierre-Louis de Assis (UNICAMP/IFGW/DFA)

Abstract:
Pontos quânticos (PQs) semicondutores enterrados em estruturas fabricadas para atuar como osciladores mecânicos podem apresentar forte acoplamento entre a energia do exciton confinado e um dos modos mecânicos, mediado pelo stress gerado sobre o material durante a oscilação. Tais campos de stress geralmente não são uniformes e pode-se desenhar o oscilador de forma a obter um forte gradiente, vinculando fortemente a resposta da energia de emissão de um PQ à sua posição no oscilador. A partir deste princípio, apresentarei um método não-destrutivo que desenvolvemos e utilizamos para determinar a posição de PQs de In(Ga)As enterrados sob 17 microns de GaAs, em uma estrutura fabricada de forma a ser um guia de onda para os fótons emitidos. Aproveitando a existência de dois modos flexurais não-degenerados na estrutura, além do forte gradiente de stress, pudemos determinar a posição dos PQs com incertezas entre 35 e 1 nm, comparáveis às obtidas com técnicas disponíveis apenas para PQs próximos à superfície e muito inferiores ao comprimento de onda da luz utilizada no experimento.