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Estudo da estrutura eletrônica e atômica de heterojunções de monocamadas epitaxiais de TMDs

Docente responsável: Prof. Abner de Siervo

Grupo de Física de Superfícies - Site

Bolsas disponíveis

Tipo: Mestrado

Quantidade de Bolsas: 1
Agência Financiadora: CNQp
Valor: R$1500,00

Área

Matéria Condensada

Resumo do Projeto

Este projeto de mestrado visa crescer filmes epitaxiais e heteroestruturas (laterais e verticais) de dicalcogenetos de metais de transição (TMDs). Os TMDs são materiais que ocorrem em tricamadas do tipo (X-M-X) (M=Mo, W, Ta, Nb, ... e X=S, Se, Te) tais como MoS2, MoSe2, WSe2, etc . A ligação entre os átomos da tricamada é covalente, enquanto a interação entre tricamadas é do tipo van der Waals, permitindo o fácil isolamento de monocamadas. Muitos TMDs são semicondutores com enormes apelos para aplicações em dispositivos fotônicos e eletrônicos, visto que o tamanho e tipo (direto ou indireto) de bandgap dependem do número de camadas atômicas. Nesta proposta de mestrado procuramos crescer heteroestruturas complexas de monocamadas epitaxiais de diferentes TMDs sobre monocristais metálicos e investigar as estruturas atômicas e eletrônicas destas junções semicondutoras. O crescimento utilizará a técnica MBE (molecular beam epitaxy) e as caracterizações eletrônicas e estruturais empregarão particularmente as técnicas de microscopia e espectroscopia de tunelamento de elétrons (STM/STS), bem como a espectroscopia de elétrons excitados por raios X (XPS).

Contato: Este endereço de email está sendo protegido de spambots. Você precisa do JavaScript ativado para vê-lo.

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